鍍(du)錫凸(tu)塊Pillar：專(zhuan)為(wei)銅柱上鍍(du)錫凸(tu)塊工藝設計(ji)，電流密度大(da)，沉(chen)積速(su)率(lv)高，且(qie)凸(tu)塊均一(yi)。
操作條件
參 數 | 范 圍 | 最 佳 值 |
錫濃度 | 45 – 55 g/L | 50 g/L |
酸濃度 | 80 - 120 g/L | 100 g/L |
溫度 | 40 – 60 ℃ | 50 ℃ |
REM-3000 A劑 | 80 – 120 ml | 100 ml |
REM-3000 B劑 | 4 – 6 ml | 5 ml |
溶液攪動 | 強力攪動 | |
電流密度 | 5 - 50 ASD | 30 ASD |
